问：Am29LV800D-----这个flash.如何接成16位，和8位？？求助？
- 答：（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文
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相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小
存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的
第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。
（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash
芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选
择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。
（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0
的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。
（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，
所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。
（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低
电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。
（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置
为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只
有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只
能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。
NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。
因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash
价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片
作为补充。
2.4.2 NAND Flash 存储器电路设计
相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较
大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技
术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高
的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高
的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在
于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数
据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序
执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。
S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文
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因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复
制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM
的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程
序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到
SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。
选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1
引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳
线柱上，通过跳线夹对其进行设置。
本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量
为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十
分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。
图 2－4 NAND Flash 电路图
电路图说明：
（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7
直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进
行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。
（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE
读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，
nFRE 相连。
（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源
相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文
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（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，
内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR
Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，
从而实现从 NAND Flash 启动。
（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND
Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为
512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为
K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进
行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B
的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash
芯片的数据手册。
NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，
也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash
存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。
NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。
对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器
为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一
般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B
的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address
与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体
某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进
行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。
一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送
完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发
送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据
寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制
器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。
2.4.3 SDRAM 存储器电路设计
从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执
行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文
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然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指
令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机
存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都
以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指
数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度
快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。
当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，
将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户
堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。
由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有
定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以
很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。
本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M
×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620
构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的
运行要求。电路图如图 2－5 所示。
图 2－5 SDRAM 电路图
电路图说明：
（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片
SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将
一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文
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而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。
（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次
相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，
和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就
可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如
此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此
HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否
则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。
由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说
寻址的间隔应该为 4（2
2
）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字
节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达
到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。
（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。
因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=2
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，因
此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。
所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。
（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器
使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据
线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。
（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一
片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一
地址空间。
（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与
S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE
时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。
使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设
置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。
初始化的代码大致如下：
void memsetup(void)
{
rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文
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rBANKCON0 = 0x700;
rBANKCON1 = 0x700;
rBANKCON2 = 0x700;
rBANKCON3 = 0x700;
rBANKCON4 = 0x700;
rBANKCON5 = 0x700;
rBANKCON6 = 0x18005;
rBANKCON7 = 0x18005;
rREFRESH = 0x8e07a3;
rBANKSIZE = 0xb2;
rMRSRB6 = 0x30;
rMRSRB7 = 0x30;
}
BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对
于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量
为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5
没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成
0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设
置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。
BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间
与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起
始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的
位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，
不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。
2.4.4 触摸屏电路设计
使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触
摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制
器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的
物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统
的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]
。武汉理工大学硕士学位论文
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根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外
式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触
摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透
明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在
两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO
（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四
线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精
确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两
层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中
一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制
电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同
理得出 X 轴的坐标[15]
。本文使用是四线电阻式触摸屏。
S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、
XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使
用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：
（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在
ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成
数据读写。
（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自
转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0
然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。
（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X
坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。
（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待
中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，
必须将此模式清除。
本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏
AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱
公司的 8.4 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻
式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路
图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D
看看对你有没有用
问：武汉理工大学的金融专硕好不好呀？
学姐你好，我是在百度知道上面看到你的，我想考武汉理工大学的金融专硕，因为考虑到武大和财大的竞争太激烈，所以想到理工大。请问理工大的金融专硕怎么样啊？难考吗？就业如何？麻烦学姐了，我现在大三，好迷茫的说额，求学姐指点迷津，灰常感谢啊~~~
- 答：如果你成绩好的话建议你不要报我们学校的金融专业，武汉理工大学是工科学校，虽然有经济学院，但是专业水平......你如果想在武汉读经济类专业，可以考虑武汉大学，中南财经政法大学这样的学校。不知道你是不是文科生，如果不是的话可以考虑在我校读工科类专业，金融就免了吧，呵呵。请采纳
- 答：1、很难简单说武汉理工大学金融专硕好不好。
2、好不好是相对而言，和211财经大学比则有差距，但武汉理工大学毕竟是211重点大学，所以总体来说还是不错。
3、选择报考学校通常看学校的层次、所处城市和自己备考的把握性大小。一般来说好不好和考取的难易是成正比。 答：53、困难是欺软怕硬的。你越畏惧它，它愈威吓你。你愈不将它放在眼里，它愈对你表示恭顺。——宣永光
问：2022年湖北成人高考有哪些本科招生学校？
- 答：很多同学在确定好自己想要报考的成考本科专业后，于是在湖北成考中具体有哪些本科招生学校呢?针对这个问题，下面我们就一起来看看吧。
问：2022年湖北成人高考有哪些本科招生学校？答：2022年湖北成考可以选择的学校有很多，同时湖北成考的学校还是比较好考的，下面我们就一起看看2022年湖北成考的本科招生学校：
一、湖北成人高考本科院校湖北成人高考本科院校有：湖北大学、中南财经政法大学、湖北中医药大学、华中农业大学、武汉科技大学、湖北医药学院、湖北工业大学、湖北师范大学、湖北科技学院、湖北三峡职业技术学院、武汉轻工大学、荆州教育学院、武汉理工大学、湖北中医药高等专科学校、湖北科技学院等等。
二、湖北成人高考热门本科院校华中农业大学华中农业大学是教育部直属全国重点大学，是中国高等农业教育的重要起点之一。从2022年起华中农业大学成教不再招收专科，只有本科招收计划。招生范围覆盖湖北、安徽、广东、海南、山西、山东、、新疆8个省区。华中农业大学成教特色专业有动物医学、畜牧兽医、林学、农林经济管理、食品质量与安全、植物保护。另外，植物科学与技术、农业资源与环境、园艺这3个专业是华中农业大学成教独有的专业。华中农业大学成教是个人认为性价比最高的学校，教育部直属211院校的资格，但用的是普通院校的收费标准，本科普通专业的学费标准才2250一年，三年总费用不到6000。有意报考华中农业大学的，私信联系。中国地质大学(武汉)作为一所湖北省的高等院校，在12个省份设有成教函授站，但是在湖北省内没有函授站，就是中国地质大学。中国地质大学的前身是北京大学、清华大学、天津大学、唐山铁道学院等校的地质、工程等系科合并组建的北京地质学院。1987年，国家教委批准武汉地质学院更名为中国地质大学，在武汉、北京两地办学，总部设在武汉。中国地质大学的成教专业有很大优势，以下4个专业是它独有的：宝石及材料工艺学、测绘工程技术、地址工程、测绘工程。另外，土地资源管理、资源勘查工程、水文与水资源工程这3个专业也非常稀有，在整个湖北只有2所学校有。武汉理工大学武汉理工大学是教育部直属重点大学，随着武大、华科不再进行成考招生，武汉理工大学就成为了湖北成考招生院校中名气最大的学校。武汉理工大学成考招生专业以机械类、建筑类等理工科专业为主。船舶与海洋工程专业是武汉理工大学成教独有专业，无机非金属材料工程、道路桥梁与渡河工程这两个专业也非常稀有，在全湖北只有2所院校有这两个专业，非要选一个的话，当然选武汉理工大。武汉理工大学成教是目前全湖北省内学习和考试过程最繁琐的院校，专科本科都需要写毕业论文，而且论文要进行查重，加上学费比较贵，所以不推荐报考。武汉纺织大学武汉纺织大学，简称“纺大”，坐落于湖北省武汉市，有小211之称。武汉纺织大学还与中央美院，清华大学等并列为中国十大时装名校。武汉纺织大学成考最值得推荐的专业当然就是服装设计与工程、纺织工程表演、服装与服饰设计、公共艺术等纺织服装专业，特别是女生，十分适合报考这几个专业。如果你是男生，也想报考武汉纺织大学的话，也有建筑环境与能源应用工程、给排水科学与工程等专业适合你报考。当然，如果你还没想好报什么专业，或者不知道什么专业适合自己，可以私我，了解专业选择技巧。中南财经政法大学你有听过五院四系吗?五院四系是国内排名前列的五所政法院校以及四所大学的法律系的简称，这几所高校的法律学科在中国法学教育界具有重要地位，对中国法制发展与法治建设具有重大影响。其中湖北高校就占有一院一系，一院是中南财经政法大学，一系指的是武汉大学法律系。武汉大学已经没有成考了，但中南财经政法大学依然有成考，中南财经政法大学是中南地区最早举办成人高等教育的高等学校。以上就是猎考网整理的关于“2022年湖北成人高考有哪些本科招生学校？”的全部内容，供考生参考。实际上，在湖北成考中每个学校都有自己的特色，同学们可以根据自己的实际情况，再结合专业学费等等，选择确定适合自己的报考专业及学校。
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问：武汉理工大学工商管理学考研经验分享？
答：一、个人介绍：
亲爱的学弟学妹们好，我是武汉理工大学工商管理专业的硕士生学长。在考取研究生之后，本着自己的热忱，也希望能够帮助更多的学弟学妹们。在考研路上不迷茫，坚定自己的信心与信念，我觉得有必要写一篇关于我个人的经验帖，为学弟学妹们在择校初试复试的备考和抉择中提供一些参考。我也有辅导下一届的经历，同样我也是跨专业录取的考生，所以我对于同学们在备考时的种种疑惑感同身受，同时我也相信自己会有一些可供参考的经验。
二、 择校与定专业
1、考研刚开始可以说完全是一个小白，我本科学的是商科类专业（金融），决定考研之后，我首先要做出的选择是考学硕还是专硕。最后考虑到一方面是因为金融专硕一般学费都比较贵，好的学校一般一学期七八万都很正常；另一方面是因为学硕未来如果想要读博的话相比专硕来说更为简单一些，并且学硕时间比较长，有更多时间去积累实习或尝试自己到底适合哪个方面。因此综合全面分析之后，我最终选择了考经济学专硕。
2、其实刚开始我选择考武汉理工大学工商管理学硕，因为被数学一有些吓退。但是后来在复习的过程中，发现自己数学悟性还不错，并且一直对武汉理工大学有些念念不忘，因为分数线和报录比相对于这个层级的学校太香了！武汉理工大学这个专业是21年开始扩招到十个左右，之前都是只招收2、3个，分数线往年在340左右，21年350，22年360，报录比不到10：1，比起我刚开始准备报考的一个财经类院校高达20：1的报录比，这个竞争力真的很让人心动。今年在考研这么卷的情况下，尤其是商科类，国家线都已经到了350，武汉理工大学作为C9，这个分数真的很香了。虽然说管理学院不是武汉理工大学的强势学科，但是毕竟学校平台很好，而且往年无论是选调还是就业这个专业毕业的研究生都还是不错的。因此综合以上这些方面，最终选择了报考武汉理工大学工商管理学硕。
三、 初试经验
1、政治：
（1）由于我考研政治开始的时间相对较晚，所以对于这一块我的经验并不是很足，只能说出我对于考研政治这一块的认知。我认为考研政治主在选择，得选择者得天下，为什么这么说？大家都知道上海市的政治是带回去，大体是有一些压分的，在上海地区考研政治75分以上，已经上绝对的高分，70分及以上就是我们常说的较好的分数了，65分就是我们说的不会拖后腿的分数，我这一年我的选择题的得分是在 43分，但我的总分是69分，其他考研的同学也是如此。
（2）抛开大题都是最后几周准备了，不谈武汉地区的大题得分整体来说还是比较低的，除非你有过硬的政治水平，否则无法在政治大题上面取得高分，那么我们何不把眼光放在更容易得分的选择题上呢？
（3）我的建议是，好好把握选择，那这样就意味着你需要把基础知识吃透，如果有时间可以听徐涛的课并写两遍1000题的选择题与巩固之后，通过练习肖四肖8等模拟卷来提高自己的知识库储备，后期知识点的一些查漏补缺很重要，因为肖四肖八这些模拟卷真的太重要了，他们模拟的得分真的就是大概考试的这些情况。
2、 英语一：
（1）英语这一块最重要的就是单词单词单词！然后就是真题真题真题！英语这一块是非常不建议去观看过多的视频的，因为它需要你整体的长线的长期学习，在考研初期看一些引导类的视频，以及张建的黄皮书，但是我们最终的目的是学会单词学会写真题，学会考研初试，而不是为了刷完某一系列的视频。
（2）因为每个同学的情况各有不同，所以只能在一些关键的时间节点供学弟学妹们做一个参考，就拿我来说，当时我的6级分数是490分，因为基础还算可以，我过完单词的时间点是6月份左右，我所用的书籍是红宝书，采用王江涛老师的艾宾浩斯遗忘曲线做了一个40天的单词计划表，这是一个非常好的办法，能够很好的阻止你的遗忘。
（3）因为同时也在准备考研和6级，在暑期期间我才开始了真题的练习，练习的话重点一定是在练习，而不是正确率上，并且英语的话大头在阅读，所以需要尽可能多的做真题，写年份更早的真题参考意义也是很大的，考研英语词汇就那么多，我们可以通过真题阅读中的单词查漏补缺，对我们背过的单词做一些复习和整理，暑期的话大头因为在数学上，所以英语的话可以每天固定留出几个小时的时间进行单词和阅读的记忆和练习，在暑期结束之前，我个人认为只需要把重点放在阅读上，因为其它的完形填空翻译等等题型都是当你在阅读起来之后是很容易提升的，并且很快能掌握到题型的要领。后期开始背作文，我是分主题背真题范文，推荐王江涛，将作文中一些通用的句子整理出来，背后边作文之前尝试自己套用前面的句子写。阅读不能断，继续二刷三刷，注意总结。
（4）对于作文这一块，所用到的单词和句型和阅读是不相通的，我们在考研中后期需要单独的留一块时间对他进行学习，比如很多同学学习王江涛的写作课程，背诵20篇作文范文，这是一个很好的方法，但是我觉得这比较厚实，如果同学们的考研时间紧张，或者急迫的情况之下，建议去通过不同的范文来整理自己的模板，因为作文始终结构还是固定的，三段论作文所需要的一些句型句式，大家从小到大写过这么多的作文也应该知道，其实同质化程度还是比较高的，只是说我们不应该照抄范文，而应该学习其中比较好的部分，来形成自己的模板，以应对不同的题型，也不变应万变。
（5）另一点需要注意的是，在考研的后期千万不要放弃对英语的学习，因为英语的答题正确率十分靠自己的感觉，尽管后期政治背诵的压力和数学冲刺的压力很大，但是我们还是要每天有规律的时间留给英语并及时做真题检验判断自己的水平。
3、数学一：
（1）这可以说是考这个学校这个专业的重中之重了。基础阶段：我是六月份开始的数学。高数部分基础课我听的是武忠祥老师的，我觉得他真的讲的很详细，我也很喜欢他上课的风格，没有其他多余的内容，但有些人可能不太喜欢这种风格，会觉得有些枯燥，大家根据自己的喜好进行老师的选择，其实都差别不大的。然后线性代数李永乐老师yyds，概率论部分基础课我听的是余炳森老师，也是讲的非常详细。这段时间我做的习题是660和部分课后题。时长差不多一个月吧。
（2）强化阶段：7-9月份进行强化阶段。这个阶段我没有听课，自己研究李正元全书整理笔记，然后配合习题880。其实我觉得数学最重要的是要输出，进行归纳总结，而不在于听了多少课，做了多少题目。我当时是汇总各个老师的一些方法还有技巧，整理了相关笔记，包括基础知识点、技巧、题型等几个部分。
（3）九月份终于整理完了自己的笔记，差不多一百来页，后来也是断断续续看了好几遍这份笔记，真的很有用，推荐大家试一下这个方法。冲刺阶段：这个阶段就是做模拟卷。推荐合工大共创超越往年的卷子，质量挺好的，上面也说了我是一个喜欢刷题的人，所以这段时间也做了将近100张模拟卷吧。然后最后就是错题回顾和回归基础，数学一内容很多，公式也很多，所以最后建议大家把知识点再过一遍，以免忘记基础失分。
（4）我们都知道考研数学三是要学高数线代和概率论的，这意味着我们需要学的知识模块是比较多的，在我的备考过程中，考研数学的备考时乎占到了我全部的时间的一半，因为我是一个基础相对薄弱的考生，在本科阶段并没有学过线代和概率论，学的高数也是同济4版的比较简单的高数类型，说这些也是想告诉大家，有志者事竟成，数学也并不是一个很吃头脑的学科，只要大家备考认真规划合理是能够取得一个较好的结果的。
（5）个人建议高数课本这块还是少看，因为它的基础知识解释较为复杂，并有很多证明过程，可能是不会考到的，我们可以以讲义为主，例如李永乐团队他们出的高数讲义，线代讲义和概率论讲义都是非常好的浓缩的书以及他们团队初试的复习全书。大家可以根据自身情况来选择不同的考研老师，我觉得这些老师都是非常好的，如果基础较弱的话，可以先跟汤家凤的视频，思维比较灵活的一些同学，可以多看看张宇的课程。
（6）因为我的基础比较薄弱，所以我高数和线代就选择了汤家凤老师的基础课，而在强化阶段，我在高数上则选择了张宇的30讲以及李永乐团队的线代和概率，算是博采众长吧，大家可以根据自己的实际情况选择去跟哪一个老师，我们最后的目的是为了把知识打牢固即可。
（7）对于一些关键的时间节点，我个人是这样认为的，在暑期前后我们就需要过掉高数的所有内容，并且在暑期集中冲刺刷题，例如李永乐的660或者张宇的1000题都是可以的，对于线代概率的话，我们需要在暑期阶段进行全部的消化以及讲义题目的练习，因为线代概率的模块相对于高数来说比较独立，题型和分数也比较有限，所以是可以跟得上的，在暑期结束的时候，我们最好能做到刷完一遍高数的练习题，线代概率讲义结束，我们需要继续复习巩固以及现代概率的冲刺，为10月份以后的真题模拟做准备。
4、专业课（869微观经济学）：
（1）专业课的话，我整体的时间安排大概是从七月份开始看书，然后两个月左右把课本整体看两遍，看的过程中有不太懂的地方就去看郑炳老师对应的课程加强一下理解，都是课本上的知识，按照背过的答题就可以，且历年真题中的名词解释重复率较高，这部分基本可以做到不失分。简答题：10分一个，占分比重很高，回答简答题的时候要根据分数和时间控制自己的答题内容，答得太少不利于老师给分，答得太多占用时间太多会影响后面论述题的答题，所以答题时一定要分点罗列重点内容。同学们应当尽量掌握参考书目中的重点知识内容。
（2）专业课参考书目是高鸿业的微观经济学，相对来说还是比较轻松的。就改革之后的专业课来看，难度不是很大。主要题型是选择题、论述题和计算题。计算题占了很大的比重，所以大家复习的时候要注意计算题的部分，但是难度不用大，基础的高鸿业的难度就可以了，学有余力可以看一下范里安中级难度的题目。
（3）论述题部分主要都是结合热点问题的一些分析，学的时候要学会结合实际进行分析，而不是单纯的背诵理论。选择题部分难度不大，抓好基础就可以了。学习微观经济学的时候，我是从看课本开始的，听了几节郑炳老师的课，但是不是特别适合自己，所以最后选择了自己看课本做题。高鸿业这本书难度不大，大家耐心看下去肯定是可以的啦。对于工商管理其它课程的一些内容都有了解，能够让自己有足够的话术来运，对这些灵活的论述大题。出事的命题是由不同的任课老师所出的题，那么我们就需要了解更多有关企业有关管理的一些实施内容或理论模型，而不能只是简单的停留在管理学这样一个浓缩的知识中。
（4）然后九月份开始，基础阶段基本结束，我开始自己整理笔记，最后整理了一份大概七十页左右的背诵笔记。题目的话这段时间我做的是绿皮书加上课后习题的错题部分。
（5）十月份左右我开始每天按照计划读背诵笔记，其实也没有可以去背诵，到考研之前读了三遍左右，就基本都记住了。十一月份我开始整理热点，因为市面上热点大多数都是宏观的，所以最后我选择了自己整理热点问题，结合当前新闻还有一些论文，整理了差不多快三十页的热点内容，我觉得这个整理的过程很有意义，能够让你去思考该如何从哪些方面去回答这些热点问题。专业课整体来说难度不大，大家稳扎稳打，基础打扎实，再配上一些方法和技巧的运用，我觉得肯定可以有一个不错的分数。管理学的参考书只有大家熟知的罗宾斯的《管理学》一本，初试的命题思路是严格按照原指定教材的内容进行命题的，基本上不会超出指定教材的范围，那么要求所有应试者必须严格按照推荐书目罗宾斯的《管理学》进行掌握和学习。
四、 复试经验
今年最后进行了扩招，最后录取了十四个人左右，分数线是360。进复试是17个，差不多1.2：1的比例，还是很友好的。复试整体难度不大，因为疫情的原因，没有笔试，只有面试。面试包括自我介绍、英文文献翻译、专业课问题问答、文献汇报、综合问题问答五个部分。最重要的应该就是文献汇报的部分了。复试前一周会发几篇文献，每个人选择一篇进行汇报，十分钟左右。复试整体风格比较发散，应该说是一种能力的综合考察，老师们都很友好，所以大家不用太担心啦。
五、寄语
对于考研我们能做好的就是坚持自己，希望大家不要辜负自己认真的付出，成功上岸！
